Travaux de thèse
Sujet de thèse :
Etude et Modélisation de la Fiabilité des Oxydes Ultra-minces (<5nm) dans les structures MOS
Directeur
de thèse : M. Lannoo
Encadrants : D. Goguenheim, A. Bravaix
Financement : Bourse Ministérielle
Ecole Doctorale : Mécanique Physique et
Modélisation
(Université de Toulon et du Var, L2MP)
Domaine d'activité
L’intégration des transistors MOS (Métal Oxyde semi-conducteur) se traduit par une diminution de la longueur de grille et de l’épaisseur d’oxyde réduit à quelques nanomètres. A de telles dimensions, l’oxyde ne joue plus son rôle d’isolant et des problèmes de fiabilité se posent. Nous étudions les effets de différents types d’injection (stress) en électrons ou en trous, uniformes ou localisées. Nous nous attachons à caractériser le type de défauts engendrés (défauts d’interface ou d’oxyde), leur localisation, et leur densité après injection. Une étude systématique sur plusieurs épaisseurs d’oxyde nous permet de déterminer quels sont les facteurs responsables de la dégradation (Champ dans l’oxyde, énergie des porteurs ou quantité de charge injectée).