Publications
Etude expérimentale des phénomènes de dégradation par porteurs chauds et contrainte sous haut champ électrique dans les oxydes ultra-minces (<5nm) pour la microélectronique, Céline TRAPES, rapport de DEA (Université de Provence) et Mémoire de Fin d'Etudes (ISEN), Juillet 2000
Temperature and field dependence of stress induced leakage currents in very thin gate oxides, D. GOGUENHEIM, A. BRAVAIX, B. ANANOU, C.TRAPES, F. MONDON, G.REIMBOLD, 3rd Symposium on SiO2 and advanced dielectrics (Fuveau, June 2000). Publié dans le Journal of Non-Crystalline Solids (2001)
Caractérisation
des dégradations engendrées près
injections en porteurs chauds sur des échantillons MOS de
2.2nm d’épaisseur d’oxyde,
C. TRAPES, D. GOGUENHEIM, A. BRAVAIX, Journées Nationales du
Réseau Doctoral de Microélectronique (Strasbourg,
Avril 2001)
Comparison in degradation modes in 1.2-2.1 nm thick SiO2 oxides submitted to uniform and hot carriers injections in NMOSFETs, D. GOGUENHEIM, C. TRAPES, A. BRAVAIX, Journal on Non-Crystallin Solids (2003).
Impact of carrier injection in 2.2nm-thick SiO2 oxides after first and substarte enhances electron injection, C. TRAPES, D. GOGUENHEIM, A. BRAVAIX. Publié dans le Journal of Non-Crystalline Solids (2003).
Experimental extraction of degradation parameters afetr Constant Voltage Stress and Substrate Hot Electron Injection on Ultrathin oxides, C. TRAPES, D. GOGUENHEIM, A. BRAVAIX. Publié dans Microelectronics reliability (2004).
Electrical characterisation of Ultra-thin SAM Structures, ENS05. Publié dans European Nanosystem (2005).
Elaboration et caractérisation de nanocapteurs de gaz, Publié dans les techniques de l'ingénieur, rubrique recherche et innovation, (2006).